STGP3HF60HD

STGP3HF60HD是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。该器件采用先进的场截止（Field Stop）沟槽栅技术，在单芯片上集成了快速恢复二极管（FRD），构成了一个高效、紧凑的功率开关解决方案。其核心架构优化了载流子寿命控制，在导通损耗与开关损耗之间取得了出色的平衡，从而在600V的中压应用领域提供了卓越的能效表现。

该器件具备多项关键电气特性，使其在同类产品中表现突出。其集电极-发射极饱和压降Vce(on)在典型工作条件下（15V栅极驱动，1.5A集电极电流）最大仅为2.95V，这直接转化为更低的导通损耗和发热量。同时，其开关性能优异，总开关能量（Eon+Eoff）仅为31J，配合85ns的快速反向恢复时间，显著降低了开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI），提升了系统的整体效率与可靠性。其栅极电荷（Qg）低至12nC，意味着对栅极驱动电路的要求更低，驱动损耗更小，设计更为简便。

在接口与参数方面，STGP3HF60HD采用标准的TO-220-3通孔封装，便于安装和散热。其额定集电极电流（Ic）为3A，最大脉冲电流（Icm）可达18A，提供了充足的电流裕量。其集电极-发射极击穿电压高达600V，确保了在工业级应用中的高可靠性。器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，能够适应苛刻的环境条件。用户可以通过ST授权代理获取完整的技术资料、样品以及可靠的原厂供货支持。

得益于其高能效、快速开关和坚固耐用的特性，该IGBT非常适合应用于对效率和可靠性有较高要求的中小功率领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）和主开关电路、不间断电源（UPS）、电机驱动与变频器、电焊机以及各类工业逆变器。在这些场景中，它能够有效提升系统功率密度，降低热管理成本，是实现紧凑、高效功率转换设计的理想选择。

• 型号:STGP3HF60HD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT 600V 7.5A TO-220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:-
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:7.5 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.95V @ 15V，1.5A
• 功率 - 最大值:38 W
• 开关能量:19J（导通），12J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:12 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:11ns/60ns
• 测试条件:400V，1.5A，100 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):85 ns
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3
• 供应商器件封装:TO-220
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STGP3HF60HD是ST意法半导体推出的一款600V、3A额定电流的绝缘栅双极型晶体管（IGBT），采用TO-220-3封装。该器件集成了快速恢复二极管，构成一个完整的功率开关单元。

其核心优势在于优异的能效平衡。器件具备低至2.95V @ 1.5A的饱和压降，有效降低了导通损耗。同时，其开关性能出色，总开关能量仅31J，反向恢复时间快至85ns，这有助于提升系统开关频率并降低开关损耗与EMI。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）确保了其在严苛环境下的稳定运行。

这些特性使其成为中小功率开关电源、电机驱动、UPS和工业逆变器等应用的理想选择，旨在提供高可靠性、高效率的功率转换解决方案。