STL75NH3LL

STL75NH3LL是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用表面贴装型PowerFlat（5x6）封装，专为高功率密度和高效散热的应用场景而优化。其核心架构通过精细的单元设计和工艺控制，实现了极低的导通电阻与栅极电荷的优异平衡，从而在开关电源和电机控制等需要快速切换和高电流处理能力的系统中表现出色。

该MOSFET的突出特性在于其卓越的电气性能。在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至5.7毫欧（@10A），这直接转化为更低的传导损耗和更高的整体效率。同时，最大栅极电荷（Qg）仅为24nC（@4.5V），显著降低了开关过程中的驱动损耗，使得开关频率可以进一步提升。其漏源电压（Vdss）为30V，连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下可达75A，确保了在严苛工况下的稳定运行能力。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST一级代理获取相关技术支持和产品信息。

在接口与参数方面，STL75NH3LL具备宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C结温）和高达60W（Tc）的功率耗散能力。其阈值电压Vgs(th)最大值为1V（@250A），结合±16V的最大栅源电压，提供了良好的噪声容限和驱动灵活性。较低的输入电容（Ciss）有助于简化驱动电路设计。这些参数共同指向了对效率、功率密度和可靠性有高要求的应用领域。

得益于上述特性，该器件非常适合部署在同步整流、DC-DC转换器（尤其是降压和负载点转换器）、电机驱动、电池保护电路以及各类电源管理模块中。其PowerFlat封装不仅节省了宝贵的PCB空间，其优异的散热特性也使其能够应对持续大电流工作的挑战，是紧凑型、高性能电源解决方案中的关键功率开关元件选择。

• 型号:STL75NH3LL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 75A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.7 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1810 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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STL75NH3LL是ST意法半导体推出的一款采用PowerFlat封装的N沟道功率MOSFET，隶属于STripFET产品系列。其核心优势在于极低的导通电阻（5.7毫欧 @ 10A, 10V）与栅极电荷（24nC @ 4.5V）的组合，这有效降低了传导与开关损耗，提升了系统效率。

该器件额定漏源电压为30V，在壳温条件下可支持高达75A的连续漏极电流，最大功率耗散为60W。其设计适用于高频率开关场景，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在恶劣环境下的稳定性和可靠性，主要面向空间受限、要求高功率密度的同步整流和DC-DC电源转换应用。