STP24NM60N

作为ST意法半导体MDmesh II系列中的一员，STP24NM60N是一款采用先进平面工艺制造的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的出色平衡。该器件采用了ST专有的MDmesh（多漏极网格）第二代技术，通过在垂直结构中引入一个深沟槽栅极和多个漏极柱，有效增加了导电通道的密度，从而在相同的芯片面积下显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)）。这种结构不仅提升了电流处理能力，也优化了开关性能，使其成为高效功率转换应用的理想选择。

在功能特性上，该MOSFET展现出卓越的性能组合。其600V的漏源击穿电压（Vdss）提供了充足的电压裕量，适用于市电整流后的高压总线环境。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值高达17A，具备强大的电流承载能力。更关键的是，其导通电阻在10V栅极驱动电压、8A漏极电流条件下，最大值仅为190毫欧，这一低Rds(on)特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。此外，其栅极电荷（Qg）最大值控制在46nC（@10V），结合1400pF的输入电容（Ciss），意味着所需的栅极驱动能量较低，有助于简化驱动电路设计并提升开关速度，减少开关过程中的损耗。

从电气接口与参数来看，STP24NM60N的标准驱动电压为10V，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，确保了良好的噪声免疫能力和明确的导通/关断状态。其栅源电压（Vgs）可承受±30V的最大值，为驱动电路提供了较高的灵活性。器件的最大功耗为125W（Tc），工作结温范围宽广，从-55°C延伸至150°C，保证了其在苛刻环境下的可靠运行。物理封装采用经典的TO-220通孔形式，便于安装散热器以管理热耗散，是工业级应用的常见选择。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的ST代理商获取正品器件和技术支持。

基于其高电压、大电流、低损耗和快速开关的特性，这款MOSFET非常适合应用于要求高效率和高可靠性的功率电子领域。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动与控制系统（如变频器、伺服驱动）、不间断电源（UPS）以及工业照明（如HID灯电子镇流器）等。在这些应用中，它能够有效提升能源转换效率，减少热量产生，并有助于实现更紧凑、更可靠的系统设计。

• 型号:STP24NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 17A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1400 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP24NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-220封装，核心优势在于其600V的漏源击穿电压（Vdss）与17A的连续漏极电流（Id）额定值，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于极低的导通电阻，在10V Vgs、8A Id条件下最大值仅为190毫欧，这显著降低了导通状态下的功率损耗。同时，46nC的较低栅极电荷（Qg）有助于实现快速的开关切换，提升整体系统效率。这些特性使其成为开关电源、电机驱动和功率校正等高要求应用的理想功率开关解决方案。