STULED623

STULED623是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术制造，封装形式为通孔安装的I-PAK。该器件基于优化的单元结构设计，旨在实现高耐压与良好导通特性之间的平衡，其核心在于通过精密的芯片工艺控制，在保证620V高漏源击穿电压（Vdss）的同时，有效管理器件的寄生电容和栅极电荷。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其最大连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下可达3A，能够应对中等功率等级的开关或线性调整应用。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值较低，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提升整体能效。此外，其栅极电荷（Qg）最大值仅为15.5nC，输入电容（Ciss）也维持在较低水平，这意味着在开关应用中，它所需的驱动能量较小，有助于简化驱动电路设计并实现更高的开关频率，从而减小磁性元件的体积。

在接口与参数方面，STULED623的栅源电压（Vgs）最大额定值为±30V，提供了较宽的安全工作裕度。其阈值电压Vgs(th)最大值设计为4.5V，确保了与常见逻辑电平或PWM控制器良好的兼容性，同时具备一定的抗干扰能力。器件的热性能同样可靠，最大功率耗散为45W（Tc），结温（Tj）最高可工作至150°C，这为其在连续工作或环境温度较高的场景下提供了稳定的保障。如需获取官方技术支持和正品供应，建议通过ST授权代理进行采购。

凭借620V的耐压和3A的电流能力，这款器件非常适用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、LED照明驱动以及电机控制等应用场景。其平衡的性能参数使其成为在成本与性能之间寻求最优解的工程师的理想选择，特别是在需要高可靠性、高效率的中小功率AC-DC转换和电机驱动方案中。

• 制造商产品型号：STULED623
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 620V 3A IPAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：620V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：3A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.6 欧姆 @ 1.1A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：15.5nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：350pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：45W（Tc）
• 工作温度：150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：I-PAK
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STULED623是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用I-PAK通孔封装。该器件核心优势在于其620V的高漏源电压（Vdss）额定值与3A的连续漏极电流（Id）能力，为离线电源应用提供了坚实的基础耐压等级和电流处理能力。

其电气参数经过优化，在10V Vgs下的导通电阻（Rds(on)）表现良好，有助于降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，使得它在开关应用中具备快速的开关速度和较低的驱动需求，有利于提升系统效率并简化驱动电路设计。器件支持高达150°C的结温工作，确保了在严苛环境下的稳定运行。