STW29NK50ZD

STW29NK50ZD是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直沟道结构设计，通过优化单元密度和沟道电阻，在高压条件下实现了优异的导通性能与开关效率的平衡。其核心架构旨在有效管理高功率应用中的电场分布，从而在500V的漏源电压（Vdss）额定值下，提供稳定可靠的阻断能力，同时将热生成控制在较低水平。

该芯片的一个显著功能特点是其极低的导通电阻（Rds(on)），在10V驱动电压、14.5A漏极电流条件下，典型值仅为130毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗，对于提升系统整体效率至关重要。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在200nC @ 10V，有助于降低开关损耗并简化驱动电路的设计。结合高达29A（Tc）的连续漏极电流和350W（Tc）的最大功率耗散能力，STW29NK50ZD展现出强大的功率处理与散热潜力，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了其在严苛环境下的鲁棒性。

在电气接口与参数方面，该器件采用标准的TO-247-3通孔封装，便于安装和散热管理。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±30V，提供了宽裕的安全裕度。阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V @ 150A，属于标准逻辑电平驱动范畴。输入电容（Ciss）最大值为6450pF @ 25V，设计驱动电路时需考虑此容性负载对开关速度的影响。尽管该产品目前已处于停产状态，但在其生命周期内，通过正规的ST芯片代理渠道，它曾是许多高可靠性设计的关键组成部分。

得益于其高压、大电流和低损耗的特性，STW29NK50ZD非常适用于要求高效率和高功率密度的离线式开关电源（SMPS）拓扑，如功率因数校正（PFC）电路、半桥或全桥变换器。此外，它在电机驱动控制、工业逆变器、不间断电源（UPS）以及焊接设备等工业与能源管理领域，也曾是主功率开关元件的优选方案之一，为系统实现紧凑、高效的功率转换提供了坚实的硬件基础。

• 型号:STW29NK50ZD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 29A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):29A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 14.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 150A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:200 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6450 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW29NK50ZD是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心额定参数为500V漏源电压（Vdss）和29A连续漏极电流，具备强大的高压阻断与电流承载能力。

其技术优势体现在极低的导通电阻（130毫欧 @ 14.5A，10V）与优化的栅极电荷（200nC @ 10V），这共同确保了在开关电源等应用中实现更低的传导与开关损耗，从而提升整体能效。高达350W的功率耗散能力与宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C），进一步保障了其在严苛功率环境下的稳定性和可靠性。