STW38NB20

STW38NB20是ST意法半导体推出的一款采用TO-247-3封装的高性能N沟道功率MOSFET。该器件隶属于ST先进的PowerMESH产品系列，该系列以优化的单元结构和低栅极电荷著称，旨在为开关电源、电机驱动等应用提供高效率与高可靠性的解决方案。其核心架构基于成熟的平面MOSFET技术，通过精细的单元设计实现了导通电阻与栅极电荷之间的出色平衡，这对于降低开关损耗和提升系统整体效率至关重要。

在电气特性方面，该器件具备200V的漏源击穿电压（Vdss），在25°C壳温条件下可支持高达38A的连续漏极电流。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、19A漏极电流条件下典型值仅为65毫欧，这一低导通电阻特性直接转化为更低的通态损耗，尤其适用于高电流工作环境。同时，其栅极电荷（Qg）在10V条件下最大值为95nC，较低的栅极电荷有助于简化驱动电路设计，并有效降低开关过程中的驱动损耗，提升开关频率潜力。

该MOSFET的接口与参数设计充分考虑了工业应用的鲁棒性。其栅源电压（Vgs）可承受±30V的最大值，提供了较强的抗栅极电压过冲能力。输入电容（Ciss）在25V漏源电压下最大为3800pF。器件的最大功率耗散能力为180W（壳温条件），并且结温（TJ）最高可工作至150°C，确保了在严苛热环境下的稳定运行。标准的TO-247-3通孔封装提供了优异的散热性能和机械强度，便于安装在散热器上。对于需要可靠供货与技术支持的客户，可以通过官方ST授权代理渠道进行采购咨询。

尽管该产品目前已处于停产状态，但其技术规格依然使其在特定的存量系统维护或对成本敏感的设计中具有参考价值。其典型应用场景包括但不限于开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、不间断电源（UPS）、工业电机驱动控制器以及音频功率放大器中的输出级。其200V/38A的耐压与电流能力，结合PowerMESH技术带来的低损耗特性，使其曾是中等功率能量转换应用的优选功率开关器件之一。

• 型号:STW38NB20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 38A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):38A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:65 毫欧 @ 19A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:95 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:180W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW38NB20是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3封装，属于其高性能PowerMESH系列。该器件核心参数包括200V的漏源电压（Vdss）和38A的连续漏极电流（Tc=25°C），能够满足中等功率等级的应用需求。

其关键电气特性表现为优异的导通性能与开关性能的平衡：在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至65毫欧（@19A），有助于减少通态损耗；同时，最大栅极电荷（Qg）仅为95nC（@10V），有利于实现高效的开关操作并降低驱动电路负担。器件支持高达150°C的结温工作，并采用通孔安装，散热性能可靠。