BD682

BD682是ST意法半导体推出的一款高性能PNP达林顿功率晶体管，采用经典的TO-225AA（TO-126）通孔封装，专为需要高电流增益和中等功率处理能力的开关及线性放大应用而设计。其核心架构基于双极结型晶体管（BJT）的达林顿对管配置，这种结构将两个PNP晶体管级联，显著提升了整体的电流放大能力，同时保持了良好的电压耐受性，使其能够在高达100V的集射极电压下稳定工作。

该器件的一个突出特性是其极高的直流电流增益，在典型工作条件（1.5A， 3V）下，hFE最小值可达750。这意味着只需极小的基极驱动电流，即可控制数安培的负载电流，极大地简化了前级驱动电路的设计，并降低了控制IC的负担。高达4A的连续集电极电流和40W的最大功耗能力，使其能够胜任多种功率接口和驱动任务。其饱和压降在1.5A电流下典型值较低，有助于减少导通状态下的功率损耗，提升系统整体效率。

在电气参数方面，BD682提供了稳健的性能边界。其集电极-发射极击穿电压（V_CEO）额定值为100V，确保了在工业或汽车电子等可能存在电压浪涌的环境中的可靠性。集电极截止电流最大仅为500A，体现了良好的关断特性。器件结温（T_J）最高可承受150°C，宽泛的工作温度范围适应了苛刻的应用环境。对于需要可靠元器件供应的设计项目，可以通过专业的ST代理商获取原装正品和技术支持。

基于其性能特点，BD682非常适合应用于需要PNP高侧开关或线性驱动的场合。典型应用包括继电器、电磁阀、电机等感性负载的驱动，LED照明系统的恒流驱动，音频功率放大器的输出级，以及各类电源管理和开关稳压电路。其通孔封装形式也便于在需要高可靠性和便于手工焊接的工业控制板、电源模块及汽车电子辅助系统中使用。

• 型号:BD682
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-32-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS PNP DARL 100V 4A SOT-32-3
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 晶体管类型:PNP - 达林顿
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:4 A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:100 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:2.5V @ 30mA，1.5A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:500A
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:750 @ 1.5A，3V
• 功率 - 最大值:40 W
• 频率 - 跃迁:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3
• 供应商器件封装:SOT-32-3
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BD682是ST意法半导体生产的一款PNP达林顿功率晶体管，采用TO-126封装。该器件集成了高电压、大电流与极高增益特性，其集电极-发射极击穿电压高达100V，连续集电极电流能力为4A，最大功耗达40W，适用于中等功率开关与线性放大场景。

其核心优势在于极高的电流放大能力，直流电流增益（hFE）最小值可达750@1.5A/3V，能够以微小的基极电流高效驱动安培级负载，显著简化驱动电路设计。良好的饱和压降特性有助于降低导通损耗，而150°C的最高结温确保了其在宽温度范围内的稳定工作。