STD5N62K3

STD5N62K3是意法半导体（STMicroelectronics）推出的SuperMESH3系列N沟道功率MOSFET，采用先进的平面工艺技术制造。该器件采用DPAK（TO-252）表面贴装封装，专为高电压、高效率的开关应用而设计。其核心架构通过优化单元密度和沟道设计，在维持高阻断电压的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），这一特性是SuperMESH3技术的标志性优势。

该MOSFET具备出色的电气性能，其620V的漏源击穿电压（V_DSS）使其能够从容应对工业级AC-DC电源转换中常见的电压应力和浪涌。在25°C壳温（T_C）条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值为4.2A，结合仅1.6Ω（典型值@10V V_GS, 2.1A I_D）的导通电阻，意味着在导通状态下的功率损耗极低，有助于提升系统整体能效。其栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可实现完全导通，栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为4.5V，确保了与主流控制器的良好兼容性。

在动态特性方面，ST中国代理提供的技术资料显示，STD5N62K3的栅极总电荷（Q_g）典型值仅为26nC，同时输入电容（C_iss）也保持在较低水平。这些参数共同作用，显著降低了开关过程中的栅极驱动损耗和开关延迟，使得器件能够在更高的频率下工作，这对于追求高功率密度和快速响应的现代开关电源（SMPS）设计至关重要。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，最大功耗为70W（T_C），提供了可靠的热性能余量。

基于其高耐压、低导通电阻和优异的开关性能，STD5N62K3非常适用于需要高效功率处理的场合。典型应用包括离线式开关电源的初级侧功率开关、功率因数校正（PFC）电路、LED照明驱动以及电机控制中的辅助电源等。在这些场景中，它能够有效降低导通损耗，提升系统效率与可靠性，是工程师实现紧凑、高效电源解决方案的理想选择。

• 型号:STD5N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 4.2A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.6 欧姆 @ 2.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:680 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD5N62K3是ST意法半导体SuperMESH3系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用DPAK封装。该器件核心优势在于其620V的高漏源电压（V_DSS）与低至1.6Ω的导通电阻（R_DS(on)）的出色结合，这得益于先进的SuperMESH3技术，有效降低了导通损耗。

其电气参数针对高效开关应用进行了优化，在10V栅极驱动下，栅极电荷（Q_g）典型值仅为26nC，有助于实现快速的开关速度和降低驱动损耗。该器件额定连续漏极电流为4.2A（T_C=25°C），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定性和高可靠性。