STP16NS25FP

STP16NS25FP是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MESH OVERLAY技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺结构，通过优化的单元设计实现了导通电阻与栅极电荷之间的出色平衡，其核心在于有效降低了单位面积的导通损耗，从而提升了功率转换效率。该芯片集成于TO-220FP封装内，这种封装形式在提供良好散热性能的同时，其引脚结构也便于在空间受限的应用中进行布局。

作为一款高压功率开关，其关键电气性能表现突出。额定漏源电压（Vdss）高达250V，使其能够从容应对工业级AC-DC变换器或电机驱动中的电压应力。在壳温（Tc）25°C条件下，连续漏极电流（Id）可达16A，配合最大40W（Tc）的功率耗散能力，确保了器件在持续高负载运行下的可靠性。其导通特性尤为值得关注，在Vgs=10V、Id=8A的测试条件下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为280毫欧，这直接降低了导通状态下的功率损耗。同时，栅极电荷（Qg）最大值控制在83nC（@10V），结合±20V的宽范围栅源电压耐受，意味着它能够被快速驱动并降低开关过程中的损耗，有利于提升系统整体频率和效率。

该器件的接口设计围绕标准的TO-220FP通孔封装展开，三个引脚（栅极、漏极、源极）定义清晰，便于在PCB上安装和散热处理。其静态参数也经过精心优化，栅极阈值电压Vgs(th)最大值为4V，提供了良好的噪声抑制能力；输入电容Ciss最大值为1270pF，与较低的Qg共同构成了对驱动电路的友好特性。宽泛的工作结温范围（-65°C ~ 150°C）使其能够适应苛刻的环境条件。对于需要可靠供货与技术支持的设计项目，建议通过官方ST授权代理渠道获取相关产品信息与库存状态。

凭借250V的耐压和16A的电流处理能力，STP16NS25FP非常适用于需要高效功率管理的场合。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动与控制系统（如变频器、伺服驱动）、以及不间断电源（UPS）和工业照明中的电子镇流器。其优异的Rds(on)与Qg参数组合，使其在追求高效率和低热设计的现代电源产品中，曾是工程师一个经典的高性价比选择。

• 型号:STP16NS25FP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 16A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:280 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:83 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1270 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STP16NS25FP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于MESH OVERLAY产品系列，采用TO-220FP通孔封装。该器件核心优势在于其250V的漏源击穿电压（Vdss）与16A（Tc）的连续漏极电流能力，为高压、中功率应用提供了坚实的基础。

其技术参数经过优化，旨在降低系统损耗。导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压下典型值仅为280毫欧，有效减少了导通状态下的功率浪费。同时，栅极电荷（Qg）被控制在83nC以内，这有助于实现快速开关并降低驱动损耗，从而提升整体能效。器件支持-65°C至150°C的宽结温范围，确保了在恶劣环境下的稳定运行。