STP26NM60N

作为ST意法半导体MDmesh II系列中的一款代表性产品，STP26NM60N是一款采用先进垂直结构设计的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于优化的单元布局和创新的超结技术，旨在实现高耐压与低导通电阻之间的卓越平衡。该设计通过精细控制电荷分布，有效降低了单位面积的导通损耗，为高压开关应用提供了坚实的物理基础。

在功能特性上，该器件展现出多项突出优势。其600V的漏源击穿电压（Vdss）确保了在工业级交流线路及高压直流母线环境下的可靠工作能力。同时，在25°C壳温条件下，它能持续承受高达20A的漏极电流，并配合165毫欧（@10A，10V）的低导通电阻，显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体能效。其栅极驱动设计兼容性强，标准10V驱动电压即可使其进入充分导通状态，而栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，提供了良好的噪声抑制能力。

该MOSFET的动态特性同样经过优化。栅极总电荷（Qg）典型值较低，这直接转化为更快的开关速度和更低的栅极驱动损耗，特别适合高频开关应用。其封装采用经典的TO-220AB通孔形式，具有良好的机械强度和成熟的散热处理方案，在配备适当散热器时，最大功率耗散可达140W。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取正品器件及相关设计资源。

基于其高耐压、大电流和优异的开关性能，STP26NM60N非常适用于要求严苛的功率转换领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、工业电机驱动和变频器的逆变桥臂，以及不间断电源（UPS）和电焊机等设备的功率级设计。其稳健的设计和宽泛的工作结温（最高150°C）也使其能够适应工业环境中复杂的电气应力和温度波动。

• 型号:STP26NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:165 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1800 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP26NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心参数包括600V的漏源电压（Vdss）和20A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了低导通电阻（Rds(on)）与优异开关特性的结合。在10V驱动电压下，导通电阻典型值仅为165毫欧，有效降低了导通损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg）和电容特性确保了快速的开关瞬态，有助于提升电源系统的效率和功率密度，适用于对效率和可靠性有高要求的工业级功率电子设备。