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VND5160J-65-E

ST图标
电源管理IC - 配电开关,负载驱动器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC PWR DRVR N-CHAN 1:1 PWRSSO12
原厂封装:供应商器件封装:PowerSSO-12
优势价格,VND5160J-65-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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VND5160J-65-E的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

VND5160J-65-E是意法半导体(STMicroelectronics)基于其成熟的VIPower技术平台开发的一款双通道、高端智能功率开关。该器件采用先进的BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺制造,将功率级、保护电路和控制逻辑高度集成于单一芯片。其核心是一个双路独立的N通道功率MOSFET,采用高端配置,每路通道均能独立控制,并集成了全面的诊断和保护功能,实现了从简单的逻辑电平信号到安全、可靠驱动大功率负载的完整解决方案。

该器件设计用于直接由微控制器等逻辑电路驱动,无需外部供电电压,简化了系统设计。其关键特性包括极低的导通电阻(典型值160毫欧),这能显著降低功率损耗和发热,提升系统效率。它支持宽范围的负载工作电压,从4.5V直至36V,使其能够灵活应用于12V或24V的汽车及工业电源系统。每路通道均能提供高达3.5A的连续输出电流,驱动能力强劲。其内置的丰富保护机制是另一大亮点,包括固定阈值的限流保护、过温关断以及开路负载检测。在发生短路或过载时,器件会进入限流模式,并在故障条件消除后自动重启,确保了系统的高可靠性和鲁棒性。此外,通过专用的状态标志引脚,可以实时反馈通道的故障状态(如过温或过流),为系统诊断提供了便利。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过官方授权的ST一级代理进行采购。

在接口与控制方面,VND5160J-65-E采用非反相的逻辑输入,兼容3.3V和5V微控制器,通过简单的“开/关”信号即可实现精准控制。其工作结温范围极宽,从-40°C到150°C,确保了在严苛环境下的稳定运行。器件采用表面贴装的PowerSSO-12封装,该封装具有优异的热性能和功率耗散能力,便于在空间受限的PCB板上进行布局。

凭借其高集成度、强驱动能力和全面的保护功能,VND5160J-65-E非常适合于需要高可靠性负载驱动的应用场景。在汽车电子领域,它常用于驱动车身控制模块中的各种负载,如灯泡、电机、继电器和加热器等。在工业自动化中,它可用于可编程逻辑控制器(PLC)的输出模块、智能执行器以及电源分配单元。其坚固的设计也使其成为替代机电式继电器和分立MOSFET方案的理想选择,能够显著提高系统集成度、可靠性和使用寿命。

  • 制造商产品型号:VND5160J-65-E
  • 制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
  • 描述:IC PWR DRVR N-CHAN 1:1 PWRSSO12
  • 产品系列:电源管理IC - 配电开关,负载驱动器
  • 包装:管件
  • 系列:VIPower
  • 零件状态:有源
  • 开关类型:通用
  • 输出数:2
  • 比率-输入:输出:1:1
  • 输出配置:高端
  • 输出类型:N 通道
  • 接口:开/关
  • 电压-负载:4.5V ~ 36V
  • 电压-供电(Vcc/Vdd):不需要
  • 电流-输出(最大值):3.5A
  • 导通电阻(典型值):160 毫欧(最大)
  • 输入类型:非反相
  • 特性:自动重启,状态标志
  • 故障保护:限流(固定),开路负载检测,超温
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:PowerSSO-12
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VND5160J-65-E是ST意法半导体VIPower系列中的一款双通道高端智能功率开关,采用PowerSSO-12封装。该器件集成了两个独立的N通道功率MOSFET,每通道可提供高达3.5A的连续输出电流,并具备低至160毫欧(典型值)的导通电阻,能有效降低导通损耗。

其核心优势在于高度的集成化与全面的保护功能。器件工作电压范围宽达4.5V至36V,可直接由微控制器逻辑电平控制,无需额外供电。它内置了固定限流、过温关断及开路负载检测等多重故障保护机制,并在故障清除后支持自动重启,同时通过状态标志引脚提供实时诊断反馈,极大增强了系统运行的可靠性与安全性。

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